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一种高旁瓣抑制比的保偏光纤切趾光栅
有权

申请号:201520219144.6 申请日:2015-04-13
摘要:本实用新型公开了一种高旁瓣抑制比的保偏光纤切趾光栅,它包括光纤纤芯和包层,光纤纤芯和包层上横向等间距阵列有调制幅度的刻痕,所述刻痕由紫外激光刻写形成,位于光纤纤芯中心的刻痕的深度最深,其它刻痕以位于光纤纤芯中心的刻痕为中心向两侧对称分布,刻痕深度依次递减,折射率分布的直流分量保持恒定值,相邻刻痕3的间距为345nm~366nm,所述保偏光纤切趾光栅的带宽小于或者等于1.2nm,旁瓣抑制比大于或者等于-25dB。该保偏光纤切趾光栅的旁瓣抑制比大于或者等于-25dB,以最大程度减小旁瓣,具有更高和更稳定的性能。
申请人: 长飞(武汉)光系统股份有限公司
地址: 430000 湖北省武汉市关山二路4号长飞5号门
发明(设计)人: 孙禹 宋立 马煜 陈震 许凯 王铁军
主分类号: G02B6/024(2006.01)I
分类号: G02B6/024(2006.01)I
  • 法律状态
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种高旁瓣抑制比的保偏光纤切趾光栅,其特征在于,它包括光纤纤芯和包层,光纤纤芯和包层上横向等间距阵列有调制幅度的刻痕,所述刻痕由紫外激光刻写形成,位于光纤纤芯中心的刻痕的深度最深,其它刻痕以位于光纤纤芯中心的刻痕为中心向两侧对称分布,刻痕深度依次递减,折射率分布的直流分量保持恒定值,相邻刻痕3的间距为345nm~366nm,所述保偏光纤切趾光栅的带宽小于或者等于1.2nm,旁瓣抑制比大于或者等于?25dB。
公开号  204595252U
公开日  2015-08-26
专利代理机构  湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102
代理人  胡建平
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期