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一种利用湿法PSS提高GaN基LED发光效率的外延结构
有权

申请号:201520207139.3 申请日:2015-04-08
摘要:本实用新型提出一种利用湿法PSS提高GaN基LED发光效率的外延结构,所述外延结构依次包括湿法PSS衬底、低温GaN成核层、低温梯度AlxGayIn1-x-yN成核层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层。所述外延结构的特征在于,以湿法PSS为衬底材料,具有成本低、避免干法PSS刻蚀损伤等优点;在传统LED结构的基础上增加低温梯度AlxGayIn1-x-yN成核层,进一步减小GaN材料应力,降低缺陷密度,提高GaN材料质量和LED发光效率。
申请人: 上海世湖材料科技有限公司
地址: 201306 上海市浦东新区临港海洋高新技术产业化基地A0201街坊1110号
发明(设计)人: 徐丽萍
主分类号: H01L33/32(2010.01)I
分类号: H01L33/32(2010.01)I H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种利用湿法PSS提高GaN基LED发光效率的外延结构,所述外延结构依次包括湿法PSS衬底、低温GaN成核层、低温梯度AlxGayIn1?x?yN成核层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层。所述外延结构的特征在于,以湿法PSS为衬底材料,在传统LED结构的基础上增加低温梯度AlxGayIn1?x?yN成核层。
公开号  204596829U
公开日  2015-08-26
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