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一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜
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申请号:201520155435.3 申请日:2015-03-19
摘要:本实用新型涉及一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜,包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层;所述的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层的总膜厚为65~120nm,折射率为1.9~2.25;所述的中间层SiNx层的膜厚为10~50nm,折射率为2.2~2.4;所述的顶层SiNx层的膜厚为30~80nm,折射率为1.9~2.2;所述的顶层SiNx层为单层或多层。采用本实用新型这种钝化减反射膜能够降低反射率,提高钝化效果,从而提高太阳电池效率,且具有非常优良的抗PID衰减特性。
申请人: 江苏顺风光电科技有限公司
地址: 213169 江苏省常州市武进区雪堰镇工业集中区
发明(设计)人: 瞿辉 徐春 曹玉甲 张一源
主分类号: H01L31/0216(2014.01)I
分类号: H01L31/0216(2014.01)I H01L31/18(2006.01)I
  • 法律状态
2015-12-09  专利权人的姓名或者名称、地址的变更IPC(主分类):H01L 31/0216变更事项:专利权人变更前:江苏顺风光电科技有限公司变更后:江苏顺风光电科技有限公司变更事项:地址变更前:213169 江苏省常州市武进区雪堰镇工业集中区变更后:213000 江苏省常州市武进区高新技术产业开发区阳湖路99号
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜,其特征在于:包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层;所述的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层的总膜厚为65~120nm,折射率为1.9~2.25;所述的中间层SiNx层的膜厚为10~50nm,折射率为2.2~2.4;所述的顶层SiNx层的膜厚为30~80nm,折射率为1.9~2.2;所述的顶层SiNx层为单层或多层。
公开号  204596799U
公开日  2015-08-26
专利代理机构  常州市维益专利事务所 32211
代理人  路接洲
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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