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倒装高压LED芯片
无权-避重放弃

申请号:201520028214.X 申请日:2015-01-15
摘要:倒装高压LED芯片,包括衬底及M个芯片,每个芯片包括N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、反射层、第一绝缘层、P引线电极、N引线电极及PN引线连接电极,在P引线电极和/或N引线电极和/或PN引线连接电极上形成散热凹槽;第二绝缘层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及其之间的第一绝缘层表面上,并填充满散热凹槽,第二绝缘层上形成散热孔,散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内;第二绝缘层沉积N焊盘及P焊盘,散热孔内填充满导热柱,导热柱与所述P焊盘及N焊盘相连。本实用新型在P焊盘、N焊盘与引线电极之间设置散热柱,使得LED倒装高压芯片散热速度更快,发热少。
申请人: 大连德豪光电科技有限公司
地址: 116100 辽宁省大连市金州新区金石IT产业园信息路3号
发明(设计)人: 王冬雷 陈顺利 莫庆伟
主分类号: H01L33/64(2010.01)I
分类号: H01L33/64(2010.01)I H01L33/36(2010.01)I
  • 法律状态
2017-08-25  避免重复授予专利权 IPC(主分类):H01L 33/64申请日:20150115授权公告日:20150826放弃生效日:20170825
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  倒装高压LED芯片,包括衬底以及位于所述衬底表面上彼此相互独立的M个芯片,M≥2,所述每个芯片包括依次生长于所述衬底表面上的N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层,所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成芯片的外延层,所述每个芯片的P型氮化镓层上形成有反射层;其特征在于,还包括:覆盖所述每个芯片的外延层及反射层表面的第一绝缘层;与第一芯片的反射层电连接的P引线电极;与第M芯片的N型氮化镓层电连接的N引线电极;依次将第i芯片的N型氮化镓层和第i+1芯片的反射层进行串联电连接的PN引线连接电极,i=1,…,M?1,每两个相互串联的芯片的PN引线连接电极彼此相互独立,在所述P引线电极和/或N引线电极和/或PN引线连接电极上形成贯穿至所述第一绝缘层表面的环形的散热凹槽;第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极之间的第一绝缘层表面上,并填充满所述散热凹槽,所述第二绝缘层上形成贯穿至所述P引线电极和/或N引线电极和/或PN引线连接电极表面的散热孔,所述散热孔在水平面上的投影位于所述散热凹槽内;沉积于所述第二绝缘层上并与所述N引线电极连接的N焊盘;沉积于所述第二绝缘层上并与所述P引线电极连接的P焊盘;填充满所述散热孔的导热柱,所述导热柱与所述P焊盘及N焊盘相连。
公开号  204596843U
公开日  2015-08-26
专利代理机构  广东秉德律师事务所 44291
代理人  杨焕军
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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