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TFT阵列基板及其制作方法
审中-实审

申请号:201510860702.1 申请日:2015-11-30
摘要:本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法,以扫描线(2)的图案为掩模版,对衬底基板(1)进行干蚀刻,在衬底基板(1)与扫描线(2)的爬升斜坡(21)的相交处形成一过渡斜坡(13),数据线(4)及绝缘层(3)经由该过渡斜坡(13)、与爬升斜坡(21)翻过扫描线(2),相比于现有技术,能够使得在数据线与扫描线交叉处,数据线及绝缘层的爬坡较平缓,从而能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题,保证TFT阵列基板的质量。
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
地址: 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
发明(设计)人: 李强
主分类号: H01L27/02(2006.01)I
分类号: H01L27/02(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I H01L21/77(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/02申请日:20151130
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的数条平行排列的扫描线(2)、覆盖所述数条扫描线(2)及衬底基板(1)的绝缘层(3)、及设于所述绝缘层(3)上的数条平行排列的数据线(4);所述数据线(4)与扫描线(2)在空间上垂直交叉;所述衬底基板(1)包括:与所述扫描线(2)的直接接触的第一部分(11)、及与绝缘层(3)直接接触的第二部分(12),所述衬底基板(1)的第一部分(11)的上表面高于第二部分(12)的上表面,所述第一部分(11)与第二部分(12)通过过渡斜坡(13)相连;所述扫描线(2)的两侧面分别相对于所述衬底基板(1)的第一部分(11)的上表面倾斜,形成爬升斜坡(21);所述数据线(4)及绝缘层(3)经由该过渡斜坡(13)、与爬升斜坡(21)翻过扫描线(2)。
公开号  105280633A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  深圳市德力知识产权代理事务所 44265
代理人  林才桂
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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