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SOI体接触器件结构
审中-实审

申请号:201510859875.1 申请日:2015-11-30
摘要:一种SOI体接触器件结构,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的埋氧化层;位于所述埋氧化层上的半导体层;位于所述半导体层上的栅极;位于所述半导体层的源区和漏区,所述源区和所述漏区分别位于所述栅极两侧下方;位于所述半导体层的体接触区;位于所述半导体层中的二极管,所述二极管的第一极连接所述栅极,所述二极管的第二极连接所述体接触区。所述SOI体接触器件结构中,所述源区、所述漏区和所述栅极对应的MOS场效应晶体管亚阈值摆幅值降低,关态漏电流减小。
申请人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
发明(设计)人: 宋雷
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L29/861(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20151130
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种SOI体接触器件结构,其特征在于,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的埋氧化层;位于所述埋氧化层上的半导体层;位于所述半导体层上的栅极;位于所述半导体层的源区和漏区,所述源区和所述漏区分别位于所述栅极两侧下方;位于所述半导体层的体接触区;位于所述半导体层中的二极管,所述二极管的第一极连接所述栅极,所述二极管的第二极连接所述体接触区。
公开号  105280715A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人  吴圳添 吴敏
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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