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多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
审中-实审

申请号:201510846159.X 申请日:2015-11-27
摘要:本发明公开了一种多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构和制作方法。主要解决现有多沟道器件栅控能力差及FinFET器件电流低的问题。其自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极,源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧顶层AlGaN势垒层上,其特征在于:第一层AlGaN/GaN异质结与SiN钝化层之间设有GaN层和AlGaN势垒层,形成第二层AlGaN/GaN异质结(3);栅电极覆盖在第二层异质结顶部和第一层及第二层异质结的两侧壁。本发明器件栅控能力强,饱和电流大,亚阈特性好,可用于短栅长的低功耗低噪声微波功率器件。
申请人: 西安电子科技大学
地址: 710071 陕西省西安市太白南路2号
发明(设计)人: 王冲 魏晓晓 郝跃 何云龙 郑雪峰 马晓华 张进成
主分类号: H01L29/778(2006.01)I
分类号: H01L29/778(2006.01)I H01L21/335(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20151127
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极,源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧的顶层AlGaN势垒层上,其特征在于:第一层AlGaN/GaN异质结(2)与SiN钝化层(4)之间设有GaN层和AlGaN势垒层,形成第二层AlGaN/GaN异质结(3);栅电极覆盖在第二层异质结(3)的顶部和第一层异质结(2)及第二层异质结(3)的两个侧壁。
公开号  105280696A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  陕西电子工业专利中心 61205
代理人  王品华 朱红星
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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