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基于石墨烯薄膜的光电探测器及其制备方法
审中-实审

申请号:201510825269.8 申请日:2015-11-24
摘要:本发明公开了一种基于石墨烯薄膜的光电探测器,采用Si/SiO2做基底,石墨烯做光吸收材料,Au做源漏电极。在基底上制备单层或少层石墨烯,在石墨烯上制作电极,形成晶体管结构的探测器。本发明还公开了一种基于石墨烯薄膜的光电探测器的制备方法,其制备工艺简单,成本较低适合大量生产,并且光电探测器性能优异。可以应用于弱光探测,超快光脉冲探测,光学通讯等领域,适用于波长范围在可见光以及远红外光之内的波长。
申请人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
地址: 400714 重庆市北碚区方正大道266号
发明(设计)人: 周大华 魏兴战 冯双龙 申均 魏大鹏 史浩飞
主分类号: H01L31/101(2006.01)I
分类号: H01L31/101(2006.01)I H01L31/028(2006.01)I H01L31/18(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/101申请日:20151124
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  基于石墨烯薄膜的光电探测器,其特征在于,采用Si/SiO2做基底,石墨烯做光吸收材料,Au做源漏电极。
公开号  105280749A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
代理人  廖曦
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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