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发光二极管制作方法
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申请号:201510819932.3 申请日:2015-11-24
摘要:本发明公开了发光二极管制作方法,包括步骤:从绝缘层蚀刻贯穿到N型层、同时部分区域的绝缘层蚀刻到反射层上的保护层,简化现有发光二极管制作的工艺流程,用简单光罩工艺替代现有复杂的制作工艺,缩短发光二极管的制作周期,降低制作成本。
申请人: 厦门市三安光电科技有限公司
地址: 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
发明(设计)人: 林泉 邵小娟 章小飞 朱立钦 林大铨
主分类号: H01L33/00(2010.01)I
分类号: H01L33/00(2010.01)I H01L33/36(2010.01)I H01L33/38(2010.01)I
  • 法律状态
2017-08-18  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20151124
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  发光二极管制作方法,包括步骤:S1、提供一衬底,在衬底上依次沉积N型层、发光层、P型层;S2、进行第一次光罩,在P型层上依次生长反射层和保护层,剥离形成图形反射层,露出部分P型层;S3、在露出的部分P型层以及保护层上生长绝缘层;S4、进行第二次光罩,从绝缘层蚀刻贯穿至露出部分N型层,形成N型电极窗口;同时从绝缘层蚀刻贯穿至露出部分保护层,形成P型电极窗口;S5、进行第三次光罩,分别在N型电极窗口和P型电极窗口内制作接触电极。
公开号  105280766A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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