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高介低损微波介质陶瓷材料及其制备方法
审中-实审
著录变更

申请号:201510814781.2 申请日:2015-11-19
摘要:本发明提供一种高介低损微波介质陶瓷材料,材料化学通式为(Na0.5+yLn0.5)(Ti1-xCx)O3,Ln=La或Nd或Sm,其中0.01≤x≤0.04,0.05≤y≤0.12,C的组成为VW,V代表价态高于四价的Nb,W代表价态低于或等于四价且平均离子半径接近于Ti4+的单个离子或复合离子,V和M同时取代或单独取代;本发明还提供一种高介低损微波介质陶瓷材料的制备方法,包括步骤:配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、烧结;本发明制得的材料具有高介电常数和高Q×f值,配方中不含Pb,Cd等挥发性有毒金属,性能稳定,能够满足现代微波器件的应用需求,原材料在国内供应充足,价格相对低廉,使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。
申请人: 电子科技大学
地址: 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
发明(设计)人: 唐斌 方梓烜 孙成礼 钟朝位 张树人
主分类号: C04B35/462(2006.01)I
分类号: C04B35/462(2006.01)I C04B35/50(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-09  著录事项变更 IPC(主分类):C04B 35/462变更事项:发明人变更前:唐斌 方梓烜 孙成礼 钟朝位 张树人变更后:唐斌 方梓烜 袁颖 孙成礼 钟朝位 张树人
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/462申请日:20151119
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种高介低损微波介质陶瓷材料,其特征在于:材料化学通式为(Na0.5+yLn0.5)(Ti1?xCx)O3,Ln=La或Nd或Sm,其中0.01≤x≤0.04,0.05≤y≤0.12,C的组成为VW,V代表价态高于四价的Nb,W代表价态低于或等于四价且平均离子半径接近于Ti4+的单个离子或复合离子,V和W同时取代或单独取代。
公开号  105272213A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232
代理人  敖欢 葛启函
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期