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高透节能玻璃用TZO半导体材料的制备方法
审中-实审
著录变更

申请号:201510793341.3 申请日:2015-11-18
摘要:本发明公开了一种高透节能玻璃用TZO半导体材料及其制备方法,以ZnO和SnO2粉体为要原料;混合均匀,制造素坯,干燥、烧结、加工得到相对密度95%以上氧化锌锡半导体材料;体电阻率≦6×10-2Ω.cm,用做磁控溅射靶材制造透过率≥85%Low-E玻璃,取代目前大量使用的锌锡合金镀膜材料,其用于磁控溅射生产氧化锌锡膜的生产过程更加稳定,生产工艺更为简单,溅射速率高,生产效率提高5%以上,大面积镀膜膜层成分均匀组织细密,同时降低了制造双银三银Low-E玻璃对于溅射设备的要求,尤其在制造大尺寸高透Low-E玻璃方面极具优势。
申请人: 南京迪纳科光电材料有限公司
地址: 211178 江苏省南京市江宁区滨江开发区盛安大道739号
发明(设计)人: 孔伟华
主分类号: C04B35/457(2006.01)I
分类号: C04B35/457(2006.01)I C04B35/453(2006.01)I C04B35/622(2006.01)I C23C14/35(2006.01)I
  • 法律状态
2016-12-21  著录事项变更 IPC(主分类):C04B 35/457变更事项:申请人变更前:南京迪纳科光电材料有限公司变更后:南京迪纳科材料发展股份有限公司变更事项:地址变更前:211178 江苏省南京市江宁区滨江开发区盛安大道739号变更后:211178 江苏省南京市江宁区滨江开发区盛安大道739号
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/457申请日:20151118
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种高透节能玻璃用TZO半导体材料及其制备方法,其特征在于,包括下列步骤:A.?以纯度大于99.95%的ZnO粉体和纯度大于99.9%的SnO2粉体为主成分,其中ZnO粉体的重量比为40?80%,SnO2粉体的重量比20?60%,主成分平均粒径为0.05?20微米;B.?将以上构成的粉体充分混合均匀后,?用注模成型或者冷等静压成型制造相对密度大于50%的素坯,经25℃?110℃空气干燥,然后在1200?1600℃空气或氩气气氛炉烧结致密,经过加工得到相对密度95%以上的陶瓷半导体材料。
公开号  105272210A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279
代理人  蒋常雪
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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