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具有单层栅极的非易失性存储器件及其制造方法
审中-实审

申请号:201510789715.4 申请日:2015-11-17
摘要:一种非易失性存储器件包括:有源区,有源区沿第一方向延伸并且包括分别设置在有源区的两端的源极区和漏极区;栅电极图案,栅电极图案沿第二方向延伸并且设置在源极区与漏极区之间,其中,第二方向与第一方向交叉地延伸;栅极绝缘图案,栅极绝缘图案设置在栅电极图案与有源区之间;源极接触插塞和漏极接触插塞,源极接触插塞和漏极接触插塞分别耦接至源极区与漏极区;以及耦合接触插塞,耦合接触插塞设置在栅电极图案之上,并且与栅电极图案绝缘。
申请人: 爱思开海力士有限公司
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 朴圣根
主分类号: H01L27/115(2006.01)I
分类号: H01L27/115(2006.01)I H01L21/8247(2006.01)I
  • 法律状态
2017-12-19  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115申请日:20151117
2016-07-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种非易失性存储器件,包括:有源区,沿第一方向延伸并且包括分别设置在有源区的两端的源极区和漏极区;栅电极图案,沿第二方向延伸并且设置在源极区与漏极区之间,其中,第二方向与第一方向交叉地延伸;栅极绝缘图案,设置在栅电极图案与有源区之间;源极接触插塞和漏极接触插塞,分别耦接至源极区和漏极区;以及耦合接触插塞,设置在栅电极图案之上并且与栅电极图案绝缘。
公开号  105810685A
公开日  2016-07-27
专利代理机构  北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人  俞波 许伟群
颁证日  
优先权  2015.01.21 KR 10-2015-0010246
国际申请  
国际公布  
进入国家日期