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基于吸气剂的MEMS高真空封装结构
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申请号:201510787784.1 申请日:2015-11-17
摘要:本发明提供一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构,包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂,所述封装腔体包括封装基底和封装盖板,在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置,使吸气剂悬置在腔体内部,不与封装腔体内表面接触。具有上述支撑装置的封装腔体,在真空环境下对吸气剂进行加热激活时就可有效减少其热传递,避免其产生的热量通过封装基底或者封装盖板大量传递至IC/MEMS器件上,对IC/MEMS器件造成不利影响,更重要的是可以提高吸气剂的激活效率和成功率,减少吸气剂激活失败引起的封装结构的报废。
申请人: 合肥芯福传感器技术有限公司
地址: 230031 安徽省合肥市高新区创新产业园二期F1栋1405室
发明(设计)人: 赵照
主分类号: B81B7/00(2006.01)I
分类号: B81B7/00(2006.01)I
  • 法律状态
2017-03-15  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):B81B 7/00申请日:20151117
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构,包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂,所述封装腔体包括封装基底和封装盖板,其特征在于:在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置,使吸气剂悬置在腔体内部,不与封装腔体内表面接触。
公开号  105271101A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
国际申请  
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