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一种亚阈值全CMOS基准电压源
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申请号:201510779707.1 申请日:2015-11-12
摘要:本发明公开一种亚阈值全CMOS基准电压源,启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态。亚阈值运算放大器保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比。纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流,抑制电源噪声,为基准电压产生电路提供电流偏置。基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。本发明未使用无源电阻、二极管或者三极管,与标准CMOS工艺兼容,大大减小了版图面积,降低了生产成本,功耗低,同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
申请人: 桂林电子科技大学
地址: 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
发明(设计)人: 韦雪明 朱智勇 段吉海 邓进丽 赵洪飞 乔帅领
主分类号: G05F1/56(2006.01)I
分类号: G05F1/56(2006.01)I
  • 法律状态
2016-08-17  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20151112
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种亚阈值全CMOS基准电压源,其特征在于:包括启动电路、亚阈值运算放大器、纳安基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路,连接亚阈值运算放大器;在基准电压源开启时提供电流,帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态;亚阈值运算放大器,分别连接到启动电路和纳安基准电流产生电路;利用共源共栅电流镜为运算放大器的差分对管提供电流偏置;利用工作在亚阈值区的差分对管,在保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比;利用工作在深线性区的NMOS管,充当长尾电阻的作用;纳安基准电流产生电路,分别连接亚阈值运算放大器和基准电压产生电路;利用工作在亚阈值区MOS管工作特性,产生纳安量级的基准电流;采用共源共栅电流镜,抑制电源噪声;采用工作在线性区的MOS管代替传统基准电压源中的电阻,为基准电压产生电路提供电流偏置;基准电压产生电路,连接纳安基准电流产生电路;采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。
公开号  105278606A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107
代理人  陈跃琳
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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