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一种低功耗可校准高压稳压电路
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申请号:201510755834.8 申请日:2015-11-09
摘要:本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种低功耗可校准高压稳压电路,包括隔离高压模块1、电压复位模块一2、带校准电容的分压模块3、电压复位模块二4、电荷补偿模块5和控制模块6;所述隔离高压模块1由一个PMOS晶体管M1构成;所述电压复位模块一2由NMOS晶体管M2~M4构成;所述带校准电容的分压模块3由若干个电容和若干个编码控制开关构成;所述电压复位模块二4由一个PMOS晶体管M6和一个NMOS晶体管M7组成;所述电荷补偿模块5由一个PMOS晶体管M5构成,所述控制模块6为一个差分输入、单端输出的比较器COMP构成。本发明提出的高压稳压结构,容易使流片后产生的高压稳定在要求的幅值,提高流片后的芯片良率,能够很有效的解决高压正向漂移的问题。
申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
地址: 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
发明(设计)人: 王宏义 李文晓 李聪 曾祥华 郑黎明 吴建飞 陈娅玲 徐顺强
主分类号: G05F1/56(2006.01)I
分类号: G05F1/56(2006.01)I
  • 法律状态
2016-10-05  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20151109
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种低功耗可校准高压稳压电路,其特征在于,包括隔离高压模块(1)、电压复位模块一(2)、带校准电容的分压模块(3)、电压复位模块二(4)、电荷补偿模块(5)和控制模块(6);所述隔离高压模块(1)由一个PMOS晶体管M1构成,所述PMOS晶体管M1的源极连接至电荷泵CP的高压输出端口VPP,栅极连接至电荷泵CP的中压输出端口VMID,其漏极连接至节点N1;所述电压复位模块一(2)由NMOS晶体管M2~M4构成,所述晶体管M2的漏极连接至节点N1,源极连接至节点N2,栅极连接至电源VDD;所述晶体管M3的栅极与源极连接并连接至节点N2,漏极连接至电源VDD;所述晶体管M4的漏极连接至节点N2,源极连接至地端GND,栅极连接至端口WR_N;所述带校准电容的分压模块(3)由若干个电容和若干个编码控制开关构成,电容CA连接在节点N1和N3之间,电容CB连接在节点N3和地端GND之间,电容C0~CN的一端连接至节点N3,另外一端分别与对应的编码控制开关S<0>~S<N>连接,其中,i表示序号,S<i>表示第i个编码开关,对应电容Ci,N表示电容总个数;S<i>=0表示开关处于断开状态,S<i>=1则表示开关处于闭合状态;所述电压复位模块二(4)由一个PMOS晶体管M6和一个NMOS晶体管M7组成,晶体管M6、M7的源极相连之后连接至地端GND,漏极相连之后连接至节点N3;晶体管M6的栅极连接至端口WR,晶体管M7的栅极连接至端口WR_N;所述电荷补偿模块(5)由一个PMOS晶体管M5构成,它的栅极与其源极均与电源VDD相连接,漏极连接至节点N3;所述控制模块(6)为一个差分输入,单端输出的比较器COMP构成,反相输入端连接至节点N3,其正向输入端连接至端口REF,输出端连接到节点N4。
公开号  105278605A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京中济纬天专利代理有限公司 11429
代理人  胡伟华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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