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一种氧化铝陶瓷绝缘子表面闪络痕迹处理方法
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申请号:201510729054.6 申请日:2015-11-02
摘要:本发明提出一种氧化铝陶瓷绝缘子表面闪络痕迹处理方法,针对工作于高场强、电真空界面的氧化铝陶瓷绝缘子,当陶瓷绝缘子表面发生闪络击穿或爬电时,将严重影响其后续的使用性能,传统的溶液浸渍或清洗无法去除由于电子束轰击造成的金属溅射或放电贯穿通道。为了满足陶瓷绝缘体的长时间使用要求,提高耐压可靠度,本发明提出的表面处理方法通过喷砂、清洗、烘干三个步骤,可以去除陶瓷表面的放电通道,使陶瓷重新恢复绝缘水平,延长陶瓷绝缘体的使用寿命。该方法所用到的外围设备简单、可操作性强,实际效果显著。本发明为陶瓷绝缘体在强流加速器领域的有效应用提供了可靠保障。
申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
地址: 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
发明(设计)人: 荀涛 杨汉武 王日品 袁成卫 樊玉伟 张晓萍 陈冬群 贺军涛 张建德
主分类号: C04B41/53(2006.01)I
分类号: C04B41/53(2006.01)I
  • 法律状态
2017-04-26  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C04B 41/53申请日:20151102
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种氧化铝陶瓷绝缘子表面闪络痕迹处理方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、将发生表面放电或金属溅射的氧化铝陶瓷绝缘子固定在支架上,置于干式喷砂机中,喷砂机以压缩空气为动力,通过气流的高速运动在喷枪内形成负压,将喷砂料通过输砂管吸入喷枪并经喷嘴射出,喷射到氧化铝陶瓷绝缘子表面,喷砂处理分为两步:首先用80目的碳化硅颗粒喷涂,其次用40目的刚玉细颗粒进行处理;喷头角度与陶瓷表面保持30°~45°,喷碳化硅颗粒时,喷嘴高度与陶瓷表面保持在(10~15)cm,喷刚玉颗粒时,喷嘴高度与陶瓷表面保持在(5~10)cm;喷砂处理结束后,需对陶瓷绝缘子表面进行吹气处理,将陶瓷绝缘子表面彻底清理干净;步骤二、喷砂处理完成后,将氧化铝陶瓷绝缘子先后通过无水乙醇和丙酮溶液进行清洁处理,在每种溶液中的清洁处理时间均不低于30min;步骤三、将经过溶液清洁后的氧化铝陶瓷绝缘子用白布擦干,随后放置于真空烤箱中进行烘烤热处理,烤箱真空度维持在(10~100)Pa,以(3~5)℃/min的升温速率,将氧化铝陶瓷绝缘子加热至烘烤温度(200~400)℃,烘烤(10~30)min,然后冷却至室温后取出。
公开号  105272367A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  国防科技大学专利服务中心 43202
代理人  任合明
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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