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阴极结嵌入P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管
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申请号:201510725968.5 申请日:2015-10-30
摘要:本发明公开了一种阴极结嵌入P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管,其结构为:阳极欧姆电极/P+型纳米硅层/N-型晶体硅衬底/N+型纳米硅层/阴极欧姆电极,N-型晶体硅衬底与N+型纳米硅层之间构成阴极异质结,该阴极异质结内嵌入设置P+型纳米碳化硅。在阴极结的基区一侧嵌入P+型半导体,抑制了反向浪涌电流,可避免二极管发生具有破坏性的双重正反馈动态雪崩效应引起电流丝而损坏器件。
申请人: 温州大学
地址: 325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
发明(设计)人: 韦文生
主分类号: H01L29/868(2006.01)I
分类号: H01L29/868(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I
  • 法律状态
2016-08-24  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/868申请日:20151030
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种阴极结嵌入P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管,其特征在于器件结构为:阳极欧姆电极/?P+型纳米硅层/N?型晶体硅衬底/?N+型纳米硅层/阴极欧姆电极,????N?型晶体硅衬底与N+型纳米硅层之间构成阴极异质结,该阴极异质结内N?型晶体硅衬底一侧设置嵌入P+型纳米碳化硅。
公开号  105280722A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  温州瓯越专利代理有限公司 33211
代理人  陈加利
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期