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一种低介电常数陶瓷粉体及其制备方法
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申请号:201510696174.0 申请日:2015-10-23
摘要:本发明公开的低介电常数陶瓷粉体,具有以CaMgSi2O6为核、Ca(Mg,Al,Zn,Co)(Si,Al)2O6为壳的核-壳两层结构;其制备过程主要包括:先以钙的化合物、镁的化合物以及正硅酸乙酯为原料,在900~1200℃煅烧后合成CaMgSi2O6粉体,然后将CaMgSi2O6粉体放入钙镁铝锌钴等化合物及硅溶胶的去离子水溶液中,在180~220?℃的反应釜中保温2~8小时,即可获得本发明的陶瓷粉体。本发明所采用的原材料来源广泛易得、制备工艺简单可控,利用烧结温度较低的Ca(Mg,Al,Zn,Co)(Si,Al)2O6对CaMgSi2O6进行包覆,不但可以保持烧结后陶瓷的优良介电性能,还能优化其烧结性能。
申请人: 曹永盛
地址: 518055 广东省深圳市南山区后海大道云海天城A-12E
发明(设计)人: 曹永盛
主分类号: C04B35/16(2006.01)I
分类号: C04B35/16(2006.01)I C04B35/628(2006.01)I
  • 法律状态
2017-11-28  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/16申请日:20151023
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种低介电常数陶瓷粉体,其特征在于它具有核?壳两层结构:中间的核层为CaMgSi2O6,外面的壳层为Ca(Mg1?x?y?zAlxZnyCoz)(Si1?x/2Alx/2)2O6,其中0.04?≤?x?≤?0.1,0?≤?y?≤?0.2,0?≤?z?≤?0.1,壳层物质与核层物质的摩尔比为0.05~0.3:1。
公开号  105272184A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
国际申请  
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