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EEPROM的制备方法
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申请号:201510695208.4 申请日:2015-10-22
摘要:本发明提出了一种EEPROM的制备方法,在形成存储比特结构和常开比特结构之后,对其中需要置于常开比特结构进行离子注入,离子注入于常开比特结构下方衬底的表面,可以降低阈值电压,提高电流,在EEPROM工作时有利于数据的存储和维持,提高器件的性能。
申请人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区张江********(隐藏)
发明(设计)人: 高超 江红 李冰寒
主分类号: H01L21/8247(2006.01)I
分类号: H01L21/8247(2006.01)I H01L21/266(2006.01)I
  • 法律状态
2018-06-29  授权
2016-02-03  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8247申请日:20151022
2016-01-06  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种EEPROM的制备方法,其特征在于,包括步骤:提供衬底,在所述衬底上形成有字线、存储比特结构、常开比特结构、介质层、栅介质层及源漏极,所述源漏极形成在所述衬底内,所述栅介质层形成在所述衬底上,所述字线、存储比特结构、常开比特结构及介质层均形成在所述栅介质层上,所述存储比特结构和常开比特结构位于所述字线的两侧,并由所述介质层隔离开;对所述常开比特结构进行离子注入处理,离子注入于常开比特结构下方衬底的表面,降低阈值电压。
公开号  105226028A
公开日  2016-01-06
专利代理机构  上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人  屈蘅
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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