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一种氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷的制备方法
有权
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申请号:201510683710.3 申请日:2015-10-20
摘要:本发明公开了一种氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷的制备方法。该方法采用硼酸三丁酯和正硅酸乙酯为原料,依次在商用h-BN粉体表面包覆纳米B2O3和SiO2层,然后采用无压烧结技术获得氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷。本发明的制备方法操作简单、工艺条件容易控制,成本低廉,适合工业化生产,通过在h-BN粉体表面包覆B2O3和SiO2层实现对h-BN粉体的化学改性,结合无压烧结技术实现h-BN颗粒的原位纳米化,从而制备出力学性能良好的氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷材料。
申请人: 西安邮电大学
地址: 710062 陕西省西安市长安南路563号
发明(设计)人: 李永锋 刘维红 张博 商世广 赵萍
主分类号: C04B35/584(2006.01)I
分类号: C04B35/584(2006.01)I
  • 法律状态
2017-02-22  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/584申请日:20151020
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将六方氮化硼与无水乙醇混和均匀配制成六方氮化硼浆料,向六方氮化硼浆料中加入硼酸三丁酯的乙醇溶液,六方氮化硼与硼酸三丁酯的摩尔比为1:(0.005~0.05);搅拌充分反应后,将乙醇蒸出得到混合粉体A;将所得混合粉体A烘干后,置于管式烧结炉,通入保护气氛,在200~500℃下处理0.5~6h,即得到表面包覆纳米氧化硼粒子层的六方氮化硼粉体;2)将上述包覆氧化硼层的六方氮化硼与无水乙醇混和均匀,加入正硅酸乙酯的乙醇溶液,六方氮化硼与正硅酸乙酯的摩尔比为1:(0.005~0.05);搅拌充分反应后,将乙醇蒸出得到混合粉体B;将所得混合粉体B烘干后,置于管式烧结炉,通入保护气体,在170~500℃下处理0.5~6h,得到表面改性的氮化硼粉体,即表面依次包覆纳米氧化硅和氧化硼层的六方氮化硼粉体;3)按照质量百分比计,称取氮化硅80~90%,稀土氧化物5~15%,氧化铝1~8%,然后再掺入体积比为0~30%的表面改性的氮化硼粉体,将混合粉体进行湿法球磨,再将浆料进行烘干、研磨、过筛、造粒、模压成型、冷等静压处理制备出生坯;生坯在300~600℃下排胶8~24h,将排胶处理后的生坯置于气氛烧结炉,在保护气气氛下,以5~15℃/min的速率升温至1500~1850℃进行无压烧结,保温0.5~4h,即制得氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷材料。
公开号  105272269A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  西安通大专利代理有限责任公司 61200
代理人  陆万寿
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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