搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

一种CIS器件的制造方法
审中-实审

申请号:201510680467.X 申请日:2015-10-19
摘要:本发明公开了一种CIS器件的制造方法,包括:步骤1:提供衬底、所述衬底背面设置有一硬掩模板;步骤2:对所述衬底的IO器件进行源漏极浅掺杂;步骤3:对衬底的像素区进行源漏极浅掺杂;步骤4:去除硬掩模板。本发明将CIS器件像素区的LDD制程,放置在多晶硅硬掩模板去除制程之前,使得原有制程中白色像素点中值在2700左右将至现在的2200,使得晶圆边缘的良率失效降低,即提高了产品良率。
申请人: 上海华力微电子有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
发明(设计)人: 范洋洋 孙昌
主分类号: H01L27/146(2006.01)I
分类号: H01L27/146(2006.01)I H01L21/266(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20151019
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种CIS器件的制造方法,其特征在于,包括:步骤1:提供衬底、所述衬底背面设置有一硬掩模板;步骤2:对所述衬底的IO器件进行源漏极浅掺杂;步骤3:对衬底的像素区进行源漏极浅掺杂;步骤4:去除硬掩模板。
公开号  105280663A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人  智云
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期