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后道互连中实现空气隙的方法
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申请号:201510656788.6 申请日:2015-10-12
摘要:本发明提供了一种后道互连中实现空气隙的方法,包括:设定待形成的通孔、填充金属的目标尺寸值;在一半导体衬底上依次形成低K介质层和硬掩膜层;在硬掩膜层中刻蚀出通孔图形;以硬掩膜层为掩膜,在硬掩膜层的通孔图形下方的低K介质层中形成通孔结构;在通孔结构的底部、侧壁以及非通孔区域的硬掩膜层表面沉积氮化硅薄膜;通孔图形的尺寸和通孔的目标尺寸值之差的一半等于氮化硅薄膜的厚度;经刻蚀去除通孔底部和非通孔区域的硬掩膜层表面的氮化硅薄膜,保留通孔侧壁的氮化硅薄膜;在通孔内填充金属,并平坦化处理填充金属顶部直至与硬掩膜层表面齐平;采用湿法刻蚀去除通孔侧壁的氮化硅薄膜,从而在通孔侧壁和通孔中的填充金属之间形成空气隙。
申请人: 上海集成电路研发中心有限公司
地址: 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
发明(设计)人: 姚嫦娲
主分类号: H01L21/768(2006.01)I
分类号: H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2018-06-22  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20151012
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种后道互连中实现空气隙的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤01:设定待形成的通孔、填充金属的目标尺寸值;步骤02:在一半导体衬底上依次形成低K介质层和硬掩膜层;步骤03:在所述硬掩膜层中刻蚀出通孔图形;所述通孔图形的尺寸大于所述通孔的目标尺寸值;步骤04:以所述硬掩膜层为掩膜,在所述硬掩膜层的所述通孔图形下方的所述低K介质层中形成通孔结构;所述通孔结构的尺寸与所述通孔图形的相同;步骤05:在所述通孔结构的底部、侧壁以及非通孔区域的所述硬掩膜层表面沉积氮化硅薄膜;所述通孔图形的尺寸和所述通孔的目标尺寸值之差的一半等于所述氮化硅薄膜的厚度;步骤06:经刻蚀去除所述通孔结构底部和所述非通孔区域的所述硬掩膜层表面的所述氮化硅薄膜,保留所述通孔侧壁的所述氮化硅薄膜;步骤07:在所述通孔结构内填充金属,并平坦化处理所述填充金属顶部直至与所述硬掩膜层表面齐平;所述填充金属的尺寸等于所述填充金属的目标尺寸值;步骤08:采用湿法刻蚀去除所述通孔结构侧壁的所述氮化硅薄膜,从而在所述通孔结构侧壁和所述通孔结构中的填充金属之间形成空气隙。
公开号  105280550A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275
代理人  吴世华 尹英
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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