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一种用于优化黑硅表面结构的处理液及处理方法
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申请号:201510651827.3 申请日:2015-10-10
摘要:本发明提供了一种用于优化黑硅表面结构的处理液和处理方法,所述处理液包括以下组分:刻蚀剂1重量份;缓冲剂1重量份~15重量份;氧化剂1重量份~15重量份;水20重量份~400重量份;所述刻蚀剂为氢氟酸。本发明提供的处理液通过刻蚀剂、缓冲剂和氧化剂的协同作用,使处理液能够缓慢而均匀的对黑硅表面结构进行优化,去除黑硅表面损伤和悬挂键,降低黑硅表面结构的复合速率。本发明采用上述处理液将黑硅进行表面处理,得到优化后的黑硅表面结构,在保证黑硅具有较低反射率的同时,能够提高黑硅相应电池效率和相应组件功率。
申请人: 浙江晶科能源有限公司 晶科能源有限公司
地址: 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
发明(设计)人: 刘长明 金井升 蒋方丹 金浩
主分类号: C30B33/10(2006.01)I
分类号: C30B33/10(2006.01)I
  • 法律状态
2017-12-01  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C30B 33/10申请日:20151010
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用于优化黑硅表面结构的处理液,其特征在于,包括以下组分:刻蚀剂1重量份;缓冲剂1重量份~15重量份;氧化剂1重量份~15重量份;水20重量份~400重量份;所述刻蚀剂为氢氟酸。
公开号  105274626A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人  赵青朵
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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