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一种利用微波辐照制备钒掺杂半绝缘碳化硅的方法
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申请号:201510649307.9 申请日:2015-10-09
摘要:本发明公开了一种利用微波辐照制备钒掺杂半绝缘碳化硅的方法,其特征在于:以单质钒金属粉末或固态含钒化合物为掺杂剂,以人造石墨粉、活性碳、碳纤维或天然鳞片石墨粉为碳源,以硅粉与氧化硅粉的混合粉末为硅源,真空环境条件下,在微波辐照的电磁场中保温,得到钒掺杂半绝缘碳化硅。该方法,与获得稳定晶体结构之后再进行掺杂的方式相比,不要严苛的注入条件,也保证了钒在的成功掺杂。而自组装的原位反应过程,以及能量最小化的晶格调整过程,也实现了结构理想的钒掺杂半绝缘碳化硅的顺利获取,成功回避了必须通过高温退火工艺进行后处理的影响。
申请人: 张家港市东大工业技术研究院 东南大学
地址: 215628 江苏省苏州市张家港市南丰镇民丰南路76号张家港市东大工业技术研究院
发明(设计)人: 王继刚 张浩 周清
主分类号: C30B29/36(2006.01)I
分类号: C30B29/36(2006.01)I C30B1/00(2006.01)I C01B31/36(2006.01)I C30B30/06(2006.01)I
  • 法律状态
2017-09-29  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20151009
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种利用微波辐照制备钒掺杂半绝缘碳化硅的方法,其特征在于:以单质钒金属粉末或固态含钒化合物为掺杂剂,以人造石墨粉、活性碳、碳纤维或天然鳞片石墨粉为碳源,以硅粉与氧化硅粉的混合粉末为硅源,真空环境条件下,在微波辐照的电磁场中,控制微波辐照的功率在3~8kW,保温1~3h,得到钒掺杂半绝缘碳化硅;所述的硅元素与碳元素的摩尔比为0.75~1.25:1,所述的钒元素与碳元素的摩尔比为0.05~0.2:1。
公开号  105274624A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  无锡中瑞知识产权代理有限公司 32259
代理人  孙高
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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