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温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li4Mg4CuSb2O12及其制备方法
无权-视为撤回

申请号:201510647750.2 申请日:2015-10-09
摘要:本发明公开了一种可低温烧结的高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li4Mg4CuSb2O12及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、MgO、CuO和Sb2O5的原始粉末按Li4Mg4CuSb2O12的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在750~800℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在800℃以下烧结良好,介电常数达到23.1~23.9,其品质因数Qf值高达97000-129000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
申请人: 桂林理工大学
地址: 541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
发明(设计)人: 方维双 王丹 李纯纯
主分类号: C04B35/45(2006.01)I
分类号: C04B35/45(2006.01)I
  • 法律状态
2018-01-09  发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B 35/45申请公布日:20160127
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/45申请日:20151009
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种温度稳定型高品质因数的低介电常数微波介电陶瓷,其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为:Li4Mg4CuSb2O12;所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为:(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、MgO、CuO和Sb2O5的原始粉末按Li4Mg4CuSb2O12的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在750~800℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。
公开号  105272202A
公开日  2016-01-27
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