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一种提高SiC/SiC陶瓷基复合材料致密度的方法
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申请号:201510638187.2 申请日:2015-09-29
摘要:本发明涉及一种提高SiC/SiC陶瓷基复合材料致密度的方法,包括以下步骤:(1)将具有一定致密化程度的SiC/SiC陶瓷基复合材料浸没于均匀分散有有机前驱体和SiC粉体的浆料中,在真空度为5~10KPa的环境中浸渍20~50分钟;(2)将真空浸渍后的材料干燥后进行交联固化;(3)将交联固化后的材料进行裂解处理;(4)将裂解处理后的材料在含有Si和C元素的气态前体的氛围中采用化学气相渗透工艺进行进一步的致密化处理,其中渗透温度为850℃~1100℃,压强为10~20KPa,渗透时间为4~30小时。该方法具备操作简单,致密化时间较短,具有很好的可重复性,致密化效率高,在填充材料孔隙方面具有明显的优势,是一种极具操作性和发展前途的方法。
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
地址: 200050 上海市长宁区定西路1295号
发明(设计)人: 董绍明 廖春景 张翔宇 高乐
主分类号: C04B35/565(2006.01)I
分类号: C04B35/565(2006.01)I
  • 法律状态
2017-07-14  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/565申请日:20150929
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种提高SiC/SiC陶瓷基复合材料致密度的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将具有一定致密化程度的SiC/SiC陶瓷基复合材料浸没于均匀分散有有机前驱体和SiC粉体的浆料中,在真空度为5~10KPa的环境中浸渍20~50分钟;(2)将真空浸渍后的材料干燥后进行交联固化;(3)将交联固化后的材料进行裂解处理;(4)将裂解处理后的材料在含有Si和C元素的气态前体的氛围中采用化学气相渗透工艺进行进一步的致密化处理,其中渗透温度为850℃~1100℃,压强为10~20KPa,渗透时间为4~30小时。
公开号  105272262A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261
代理人  曹芳玲 郑优丽
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期