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熔石英光学曲面的大面积纳米微结构调控制备方法
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申请号:201510634503.9 申请日:2015-09-29
摘要:本发明公开了一种熔石英光学曲面的大面积纳米微结构调控制备方法,步骤包括:将熔石英光学曲面光学零件固定;设置离子入射角θ、离子能量Eion、束流密度Jion以及加工时间t;确定对熔石英光学曲面光学零件进行离子束加工的运动轨迹;采用离子源根据所述离子能量Eion、束流密度Jion生成离子束,通过离子束加工机床驱动离子源沿着所述运动轨迹运动、驱动熔石英光学曲面光学零件沿着C轴做回转运动,使离子束以固定的离子入射角θ入射至熔石英光学曲面光学零件的曲面且入射时间为t,最终在熔石英光学曲面光学零件的曲面上形成规则的纳米微结构。本发明尤其适用于熔石英曲面的大面积纳米微结构调控制备,具有原理简单、容易实现、高效率、低成本的优点。
申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学三院机电系
发明(设计)人: 戴一帆 廖文林 解旭辉 周林 徐明进 鹿迎
主分类号: B81C1/00(2006.01)I
分类号: B81C1/00(2006.01)I
  • 法律状态
2017-03-29  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):B81C 1/00申请日:20150929
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种熔石英光学曲面的大面积纳米微结构调控制备方法,其特征在于步骤包括:1)将待加工的熔石英光学曲面光学零件固定在离子束加工机床的夹具上,且所述夹具通过可驱动熔石英光学曲面光学零件沿着C轴做回转运动的电机和离子束加工机床相连;2)设置离子束加工参数,所述离子束加工参数包括离子入射角θ、离子能量Eion、束流密度Jion以及加工时间t;3)根据待加工的熔石英光学曲面光学零件上任意点P的工件坐标系和离子入射角θ计算出进行离子束加工点P时对应的机床运动坐标,从而确定对熔石英光学曲面光学零件进行离子束加工的运动轨迹;4)采用离子源根据所述离子能量Eion、束流密度Jion生成离子束,通过离子束加工机床驱动离子源沿着所述运动轨迹运动、驱动熔石英光学曲面光学零件沿着C轴做回转运动,使所述离子束以固定的离子入射角θ入射至熔石英光学曲面光学零件的曲面,且每一个加工点的入射时间为t,最终在熔石英光学曲面光学零件的曲面上形成规则的纳米微结构。
公开号  105271107A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  湖南兆弘专利事务所 43008
代理人  赵洪 谭武艺
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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