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一种镁硅基热电材料及其制备方法
审中-公开

申请号:201510632448.X 申请日:2015-09-29
摘要:本发明提供一种镁硅基热电材料及其制备方法,所述镁硅基热电材料为Mg2SixSn1-x,x=0.35~0.5;所述制备方法为一步合成法,在外加电场和外加压力作用下,利用促进MgH2粉与纳米Si粉、Sn粉粒子间的输运和反应化合,同步完成反应合成过程和粉体致密化过程,形成具有特殊纳米结构的Mg2Si1-xSnx热电材料。所述制备方法,反应时间短,同时降低了后期致密化的温度和加热时间,反应过程可控,可复制性高,有利于制备出具有纳米结构,氧含量低于0.05%的高纯纳米块体Mg2SixSn1-x材料。
申请人: 涂艳丽
地址: 210000 江苏省南京市高淳区漆桥镇河滨路1号
发明(设计)人: 不公告发明人
主分类号: C04B35/515(2006.01)I
分类号: C04B35/515(2006.01)I C04B35/622(2006.01)I
  • 法律状态
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种镁硅基热电材料及其制备方法,所述镁硅基热电材料为Mg2SixSn1?x;所述制备方法为一步合成法。
公开号  105272253A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
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