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一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法
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申请号:201510628151.6 申请日:2015-09-29
摘要:本发明公开了一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法,上述晶须增强压电陶瓷材料,由包含以下重量份的组分制成:氮化硅55-60份、聚乙烯醇10-15份、二氧化锆10-12份、锂霞石5-8份、碳化硅晶须4-7份、聚碳硅烷3-6份、聚铝硅氧烷2-4份、氧化铜2-3份、钛酸四丁脂1-3份、二硫化钼1-2份、过硫酸铵0.5-1份和氧化铕0.02-0.5份。本发明还提供了一种晶须增强压电陶瓷材料的制备方法。
申请人: 苏州宽温电子科技有限公司
地址: 215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇中山东路70号2307室
发明(设计)人: 翁宇飞 张其笑
主分类号: C04B35/81(2006.01)I
分类号: C04B35/81(2006.01)I C04B35/584(2006.01)I
  • 法律状态
2017-09-15  授权
2017-09-05  专利申请权的转移 IPC(主分类):C04B 35/81登记生效日:20170816变更事项:申请人变更前权利人:苏州宽温电子科技有限公司变更后权利人:王莎变更事项:地址变更前权利人:215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇中山东路70号2307室变更后权利人:318000 浙江省台州市椒江区工人路101号
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/81申请日:20150929
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种晶须增强压电陶瓷材料,其特征在于,由包含以下重量份的组分制成:氮化硅???????55?60份,聚乙烯醇????10?15份,二氧化锆?????10?12份,锂霞石??5?8份,碳化硅晶须???4?7份,聚碳硅烷??3?6份,聚铝硅氧烷??2?4份,氧化铜???2?3份,钛酸四丁脂???1?3份,二硫化钼??1?2份,过硫酸铵???0.5?1份,氧化铕??0.02?0.5份。
公开号  105272327A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11346
代理人  魏秀莉
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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