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一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用
审中-实审

申请号:201510622970.X 申请日:2015-09-25
摘要:本发明提供一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏4°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法;本发明的4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型可应用于碳化硅氧化原理、碳化硅欧姆接触、碳化硅外延等碳化硅材料与其他材料界面研究中,较通常使用的无偏角原子模型更接近于实际应用,研究结果与实际情况更接近,更具有参考价值。
申请人: 国网智能电网研究院 国家电网公司 国网安徽省电力公司
地址: 102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
发明(设计)人: 李玲 王方方 李永平 郑柳 刘瑞 夏经华 田亮 杨霏
主分类号: G06F17/50(2006.01)I
分类号: G06F17/50(2006.01)I
  • 法律状态
2016-09-28  实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50申请日:20150925
2016-01-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种4H?SiC材料4°偏角三维原子结构模型,所述模型为4H?SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为其特征在于,所述模型上表面沿(0001)面向偏4°。
公开号  105260517A
公开日  2016-01-20
专利代理机构  北京安博达知识产权代理有限公司 11271
代理人  徐国文
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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