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一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
审中-实审

申请号:201510614230.1 申请日:2015-09-23
摘要:本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。用以加快阵列基板内的第一电极层的刻蚀速度,提高显示装置的开口率。其中制备方法包括在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层,第一电极层包括至少两层导电层,且至少两层导电层的形成材料的刻蚀速率不同;在栅极金属层上形成光刻胶层;采用半色调掩膜板对形成有光刻胶层、第一电极层和栅极金属层的衬底基板进行曝光;对栅极金属层进行第一次刻蚀;对第一电极层进行刻蚀;对光刻胶层进行灰化处理,对栅极金属层进行第二次刻蚀,并剥离剩余的光刻胶,在已进行第二次刻蚀后的栅极金属层上依次形成半导体层、源、漏极层、过孔以及第二电极层。
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
地址: 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
发明(设计)人: 曹占锋 张锋 张斌 何晓龙 李正亮 张伟 关峰 高锦成
主分类号: H01L21/77(2006.01)I
分类号: H01L21/77(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/77申请日:20150923
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层,所述第一电极层包括:至少两层导电层,且所述至少两层导电层的形成材料的刻蚀速率不同;在所述栅极金属层上形成光刻胶层;采用半色调掩膜板对形成有光刻胶层、第一电极层和栅极金属层的衬底基板进行曝光;对栅极金属层进行第一次刻蚀;对第一电极层进行刻蚀;对所述光刻胶层进行灰化处理,对栅极金属层进行第二次刻蚀,并剥离剩余的光刻胶,在已进行第二次刻蚀后的栅极金属层上依次形成半导体层、源、漏极层、过孔以及第二电极层。
公开号  105280552A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
代理人  黄志华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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