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基于射极耦合式损耗抑制的节能电网振荡控制系统
审中-实审

申请号:201510614067.9 申请日:2015-09-23
摘要:本发明公开了基于射极耦合式损耗抑制的节能电网振荡控制系统,由EMI单相滤波器,可控硅整流器,升压型功率因素校正电路,单相高频变频器,采样保护电路,与采样保护电路相连接的单片机,串接在升压型功率因素校正电路与采样保护电路之间的带通滤波低失真振荡电路,以及串接在采样保护电路与单片机之间的损耗抑制电路组成;其特征在于,在单相高频变频器与单片机之间还串接有射极耦合式放大电路;本发明采用了射极耦合式放大电路,该电路具有稳定静态工作点、稳定输出电流和增大该电路的输入电阻,同时,采用了损耗抑制电路,该电路具有防止电流传输时电流强度被削弱的作用,有效的提高了本系统的节能性和安全性。
申请人: 成都申川节能环保工程有限公司
地址: 611200 四川省成都市崇州经济开发区青年(大学生)创业园
发明(设计)人: 钟黎
主分类号: H05B37/02(2006.01)I
分类号: H05B37/02(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H05B 37/02申请日:20150923
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  基于射极耦合式损耗抑制的节能电网振荡控制系统,由EMI单相滤波器,与EMI单相滤波器相连接的可控硅整流器,与可控硅整流器相连接的升压型功率因素校正电路,与升压型功率因素校正电路相连接的单相高频变频器,与单相高频变频器相连接的采样保护电路,与采样保护电路相连接的单片机,串接在升压型功率因素校正电路与采样保护电路之间的带通滤波低失真振荡电路,以及串接在采样保护电路与单片机之间的损耗抑制电路组成;其特征在于,在单相高频变频器与单片机之间还串接有射极耦合式放大电路;所述射极耦合式放大电路由放大器P3,放大器P2,三极管VT10,三极管VT11,三极管VT12,三极管VT13,场效应管Q3,正极经电阻R35后与三极管VT12的基极相连接、负极经电阻R39后与三极管VT10的基极相连接的极性电容C17,正极经电阻R36后与极性电容C17的正极相连接、负极经二极管D16后与放大器P2的输出端相连接的极性电容C18,一端与放大器P2的负极相连接、另一端与极性电容C17的正极相连接的电阻R34,P极经电阻R47后与放大器P2的输出端相连接、N极与三极管VT12的集电极相连接的二极管D17,N极与极性电容C18的正极相连接、P极顺次经电阻R38、极性电容C19后与场效应管Q3的栅极相连接的二极管D18,一端与场效应管Q3的栅极相连接、另一端接地的电阻R40,P极与三极管VT10的基极相连接、N极与电阻R45后与三极管VT11的发射极相连接的二极管D19,正极与放大器P3的负极相连接、负极经电阻R47后与二极管D18的N极相连接的极性电容C23,一端与三极管VT12的发射极相连接、另一端与三极管VT11的集电极相连接的电阻R37,一端与放大器P3的输出端相连接、另一端与三极管VT10的发射极相连接的电阻R42,正极与三极管VT11的基极相连接、负极与放大器P3的输出端相连接的极性电容C20,P极与场效应管Q3的漏极相连接、N极经电阻R41后与三极管VT13的发射极相连接的二极管D20,P极与三极管VT13的集电极相连接、N极与极性电容C23的正极相连接的二极管D21,P极经可调电阻R44后与放大器P3的正极相连接、N极与单片机相连接的二极管D22,以及正极经电阻R43后与放大器P3的负极相连接、负极经电阻R46、极性电容C22后与二极管D22的P极相连接的极性电容C21组成;所述三极管VT10的集电极与场效应管Q3的源极?相连接、其发射极则与三极管VT13的基极相连接;所述放大器P2的正极与二极管D17的P极相连接、其输出端与单相高频变频器;所述放大器P3的输出端与极性电容C23的负极相连接;所述极性电容C21的负极还接地;所述损耗抑制电路由抑制芯片U2,三极管VT5,三极管VT6,三极管VT7,三极管VT8,三极管VT9,P极经电阻R19后与三极管VT7的基极相连接、N极经电阻R18后与三极管VT5的基极相连接的二极管D9,P极经电阻R23后与三极管VT7的发射极相连接、N极顺次经极性电容C10、电阻R21后与抑制芯片U2的CS管脚相连接的二极管D10,一端与二极管D10的P极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接的电阻R20,负极与抑制芯片U2的VCC管脚相连接、正极顺次经电阻R25、二极管D11、电阻R24后与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C11,正极经电阻R26后与极性电容C11的正极相连接、负极顺次经二极管D12、极性电容C16后与三极管VT8的集电极相连接的极性电容C13,P极与三极管VT8的集电极相连接、N极顺次经电阻R28、电阻R27后与极性电容C13的正极相连接的二极管D13,P极与三极管VT9的发射极相连接、N极经电阻R31后与二极管D13的P极相连接的二极管D15,正极与二极管D15的N极相连接、负极经电阻R32后与单片机相连接的极性电容C15,负极与三极管VT9的基极相连接、正极经电阻R30后与抑制芯片U2的FB管脚相连接的极性电容C14,以及一端与抑制芯片U2的OUT管脚相连接、另一端与三极管VT8的基极相连接的可调电阻R29组成;所述三极管VT6的基极与三极管VT5的发射极相连接、其集电极接地;所述三极管VT5的集电极与二极管D9的P极相连接;所述三极管VT9的集电极接地;所述抑制芯片U2的GND管脚接地;所述二极管D9的N极还与采样保护电路相连接。
公开号  105282926A
公开日  2016-01-27
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