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能实现背面精细化光刻的IGBT背面制作方法
审中-实审

申请号:201510600038.7 申请日:2015-09-18
摘要:本发明涉及一种能实现背面精细化光刻的IGBT背面制作方法,其包括如下步骤:a、在晶圆的晶圆正面得到所需的正面元胞结构;b、对晶圆的晶圆背面进行减薄;c、进行初次背面离子注入,并涂覆光刻胶层;d、提供光刻机;e、将掩膜版与基准标记进行对准,且利用穿透信号发射装置扫描晶圆上的金属层套刻对位标记;f、对晶圆的位置进行校正,以使得晶圆与掩膜版的精准对位;g、对光刻胶层进行曝光显影,并在曝光显影后,对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入;h、退火后激活载流子;i、设置背面金属层。本发明能有效实现光刻对位,能对套刻精度进行有效控制,满足IGBT设计的需求,且不受背面图形特征的影响,真正实现背面图形精细化的目标。
申请人: 江苏中科君芯科技有限公司
地址: 214028 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层
发明(设计)人: 程炜涛 许剑 卢烁今 叶甜春
主分类号: H01L21/68(2006.01)I
分类号: H01L21/68(2006.01)I H01L21/027(2006.01)I H01L21/8222(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/68申请日:20150918
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种能实现背面精细化光刻的IGBT背面制作方法,其特征是,所述IGBT背面制造工艺包括如下步骤:(a)、提供制备IGBT器件所需的晶圆(12),在所述晶圆(12)的晶圆正面(7)进行所需的正面工艺,以在晶圆(12)的晶圆正面(7)得到所需的正面元胞结构,所述正面元胞结构包括正面金属层以及金属层套刻对位标记(8);(b)、对上述晶圆(12)的晶圆背面(10)进行减薄,以使得减薄后得到晶圆(12)的厚度不大于300μm;(c)、对上述晶圆(12)的晶圆背面(10)进行所需的初次背面离子注入,并在离子注入后的晶圆背面(10)上涂覆光刻胶层;(d)、提供用于对上述晶圆背面(10)上涂覆的光刻胶层进行光刻的光刻机,所述光刻机包括下曝光台(2)以及位于所述下曝光台(2)上方的上曝光台(1),在上曝光台(1)的下表面设置用于掩膜版(6)对准的基准标记(3),下曝光台(2)上设置能发射穿透减薄后晶圆(12)信号的穿透信号发射装置(5),在上曝光台(1)上设置用于接收穿过晶圆(12)后信号的穿透信号接收装置(4);(e)、将上述晶圆(12)的晶圆背面(10)朝上并置于下曝光台(2)与上曝光台(1)间,并将位于晶圆(12)上方的掩膜版(6)与基准标记(3)进行对准,且利用穿透信号发射装置(5)扫描晶圆(12)上的金属层套刻对位标记(8);(f)、利用穿透信号接收装置(4)接收穿透晶圆(12)后的穿透信号,以得到套刻对位标记图形信息,根据套刻对位标记图形信息以及基准标记(3)确定晶圆(12)的位置,并比对金属层套刻对位标记(8)与掩膜版(6)上掩膜版套刻对位标记(11)的中心坐标;根据金属层套刻对位标记(8)的中心坐标以及掩膜版(6)上掩膜版套刻对位标记(11)的中心坐标,对晶圆(12)的位置进行校正,以使得晶圆(12)与掩膜版(6)的精准对位;(g)、利用掩膜版(6)对晶圆背面(10)上的光刻胶层进行曝光显影,并在曝光显影后,对晶圆背面(10)进行所需的二次背面离子注入,所述二次背面离子注入的离子导电类型与初次背面离子注入的离子导电类型相反;(h)、去除上述晶圆背面(10)的光刻胶层,并在退火后激活载流子,以得到所需分布于晶圆背面(10)的二极管;(i)、在上述晶圆背面(10)设置所需的背面金属层。
公开号  105280538A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人  曹祖良 张涛
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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