搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

具有高发光效率的外延片生长方法
审中-实审

申请号:201510599117.0 申请日:2015-09-18
摘要:本发明公开了一种具有高发光效率的外延片生长方法,属于发光二极管领域。该方法包括:提供一衬底;在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层;在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层;在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层;在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层;其中,所述在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层,包括:在反应腔内温度为950℃,反应腔内压强为100torr的环境下,间歇式生长AlGaN层,并在所述AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源。本发明提供的方法使得注入多量子阱有源层中的空穴明显增加,可以大大提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率,由于复合效率的提高,使电子溢漏的程度减小,提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。
申请人: 华灿光电股份有限公司
地址: 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
发明(设计)人: 孙玉芹 王江波
主分类号: H01L33/06(2010.01)I
分类号: H01L33/06(2010.01)I H01L33/32(2010.01)I H01L33/00(2010.01)I H01L21/02(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/06申请日:20150918
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种具有高发光效率的外延片生长方法,其特征在于,所述方法包括:提供一衬底;在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层;在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层;在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层;在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层;所述在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层,包括:在反应腔内温度为950℃,反应腔内压强为100torr的环境下,间歇式生长AlGaN层,并在所述AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源。
公开号  105280768A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人  徐立
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期