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一种氮化物发光二极管的制作方法
审中-实审

申请号:201510596755.7 申请日:2015-09-18
摘要:本发明公开一种氮化物发光二极管的制作方法,包括以下工艺步骤:常规的氮化物发光二极管,在反应室里外延P型氮化物后,继续沉积氧化隔离层,防止氮化物表面的Ga-和Mg-悬挂被氧化;在无氧环境中,将所述氧化隔离层去除并制作电极,防止电极和氮化物界面的Ga-与Mg-悬挂键被氧化,从而制作低界面电阻和低电压的发光二极管。
申请人: 厦门市三安光电科技有限公司
地址: 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
发明(设计)人: 郑锦坚 杜伟华 寻飞林 邓和清 李志明 伍明跃 周启伦 林峰 李水清 康俊勇
主分类号: H01L33/00(2010.01)I
分类号: H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20150918
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种氮化物发光二极管的制作方法,包含以下工艺步骤:(1)常规的氮化物发光二极管,在反应室里外延P型氮化物后,继续沉积氧化隔离层,防止氮化物表面的Ga?和Mg?悬挂被氧化;(2)在无氧环境中,将所述氧化隔离层去除并制作电极,防止电极和氮化物界面的Ga?与Mg?悬挂键被氧化,从而制作低界面电阻和低电压的发光二极管。
公开号  105280764A
公开日  2016-01-27
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