搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
审中-实审

申请号:201510591118.0 申请日:2015-09-16
摘要:本发明公开了一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法,通过第一键合剂与第一有机试剂、第二键合剂与第二有机试剂的配套使用,能够有效降低超薄半导体圆片在背面工艺过程中的裂片率,芯片成品率高。半导体圆片与载体片分离的过程不用经过高温解蜡,半导体材料与背面金属间不存在热胀冷缩系数不同导致的粘附力下降的问题;不用经过长时间浸泡试剂解键合剂来实现圆片与载体片的分离,圆片分离效率高,适合量产。
申请人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
地址: 210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号
发明(设计)人: 邹鹏辉 王彦硕 潘斌 李彭瑞 刘鑫
主分类号: H01L21/683(2006.01)I
分类号: H01L21/683(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/683申请日:20150916
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法,其特征在于:所述键合方法包括以下的步骤:S1:清洗半导体圆片(1)和第一载体片(4)的表面;S2:将半导体圆片(1)和第一载体片(4)的正面涂覆第一键合剂(2),并进行热烘固化;S3:将半导体圆片(1)和第一载体片(4)正面相对,通过第一键合剂(2)键合,形成半导体圆片(1)与第一载体片(4)的初步键合体;S4:将半导体圆片(1)与第一载体片(4)的键合体浸泡在第一有机试剂中,去除半导体圆片(1)边缘的第一键合剂(2),形成缝隙(3);S5:在步骤S4得到的半导体圆片(1)背面涂覆第二键合剂(5),以填充步骤S4形成的缝隙(3),并进行固化,形成半导体圆片(1)与第一载体片(4)的最终键合体;所述去键合方法包括以下的步骤:S6:将半导体圆片(1)与第一载体片(4)的最终键合体浸泡在第二有机试剂中,去除半导体圆片(1)边缘的第二键合剂(5),以露出缝隙(3);S7:将步骤S6得到的半导体圆片(1)固定在第二载体(7)上,并将第二载体(7)放在可施加外力的平台上;S8:通过外力实现半导体圆片(1)与第一载体片(4)的分离;S9:使用第一有机试剂清洗步骤S8得到的半导体圆片(1),去除半导体圆片(1)表面的第一键合剂(2),得到去键合后的半导体圆片(1)。
公开号  105280541A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人  柏尚春
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期