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半导体封装结构及形成方法
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申请号:201510582231.2 申请日:2015-09-14
摘要:本发明公开了一种半导体封装结构及形成方法。该半导体封装结构包括:基板、硅通孔内连线结构、第一和第二保护环掺杂区域;其中该基板具有前侧和后侧,而该硅通孔内连线结构形成于该基板中,而该第一和第二保护环掺杂区域也形成于该基板中并且相邻于该硅通孔内连线结构,同时耦接至地。本发明实施例,基板或者硅通孔内连线结构产生的噪音可以经由第一和第二保护环掺杂区域而耦接至地,从而有效地降低噪音。
申请人: 联发科技股份有限公司
地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
发明(设计)人: 洪建州 杨明宗 李东兴 黄伟哲 黄裕华 林子闳
主分类号: H01L23/538(2006.01)I
分类号: H01L23/538(2006.01)I H01L23/552(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2018-06-29  授权
2016-08-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/538申请日:20150914
2016-07-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体封装结构,其特征在于,包括:基板,具有前侧和后侧;硅通孔内连线结构,形成于该基板中;以及第一保护环掺杂区域和第二保护环掺杂区域,形成于该基板中,其中该第一和第二保护环掺杂区域相邻该硅通孔内连线结构并且均耦接至地。
公开号  105810662A
公开日  2016-07-27
专利代理机构  深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280
代理人  何青瓦
颁证日  
优先权  2015.01.21 US 14/601,440
国际申请  
国际公布  
进入国家日期