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一种超辐射发光二极管的制作方法及制得的发光二极管
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申请号:201510581147.9 申请日:2015-09-14
摘要:本发明涉及一种超辐射发光二极管的制作方法,包括以下步骤:一次外延片的生长步骤、形成脊的步骤、掩埋的步骤、形成P面电极金属的步骤、形成N面电极金属的步骤、解离的步骤,从而制得超辐射发光二极管。本发明还提出一种由所述制作方法制得的超辐射发光二极管。本发明采用新型的异质结掩埋工艺来优化和改善芯片的输出功率,一方面与常规的生长温度相比,本发明提高生长温度,优化在脊侧壁的光滑度;另一方面采用掺杂浓度优化的掩埋工艺来降低光场的损耗,从而提高输出功率。本发明的SLD芯片具有谱线宽、增益高、输出大的优点。
申请人: 中国科学院福建物质结构研究所
地址: 350002 福建省福州市杨桥西路155号
发明(设计)人: 苏辉 薛正群 周东豪 訾慧 王凌华 林琦 林中晞 陈阳华
主分类号: H01L33/00(2010.01)I
分类号: H01L33/00(2010.01)I H01L33/06(2010.01)I H01L33/30(2010.01)I H01L33/02(2010.01)I
  • 法律状态
2017-08-29  授权
2017-07-07  著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/00变更事项:发明人变更前:苏辉 薛正群 周东豪 訾慧 王凌华 林琦 林中晞 陈阳华变更后:薛正群 苏辉 周东豪 訾慧 王凌华 林琦 林中晞 陈阳华
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20150914
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种超辐射发光二极管的制作方法,其特征在于,该制作方法包括以下步骤:一次外延片的生长步骤:在InP衬底片上依次生长N型InP缓冲层,InGaAsP势垒层,GaAs层,InAs量子点;重复生长上述的InGaAsP势垒层、GaAs层、InAs量子点,直至生长成多层InGaAsP势垒层/GaAs层/InAs量子点,再生长InGaAsP势垒覆盖层;最后生长InP保护层;形成脊的步骤:对上述一次外延片沉积SiO2介质层,光刻,刻蚀SiO2,之后进行腐蚀,形成脊形状结构;掩埋的步骤:在脊结构上依次生长掩埋异质结的P?InP层、掩埋的N?InP层、浓度渐变的P?InP层、P?InGaAsP层和重掺杂接触层P+?InGaAs层;形成P面电极金属的步骤:在掩埋后的样品表面沉积SiO2,光刻形成P面一次金属,刻蚀电极区域表面SiO2,经电子束蒸发、剥离、退火后,再次光刻、电子束蒸发、剥离形成P面电极金属;形成N面电极金属的步骤:对形成P面电极金属的样品的衬底层进行研磨减薄,电子束蒸发后形成N面电极金属,对N面和P面电极金属进行合金;解离的步骤:将合金后的样品沿着晶向解离成巴条,从而制得1550nm超辐射发光二极管。
公开号  105280763A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535
代理人  刘元霞
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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