搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

一种晶圆的键合方法
有权
阅读授权文献

申请号:201510575483.2 申请日:2015-09-10
摘要:本发明涉及一种半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆的键合方法,具体步骤是:提供第一晶圆、第二晶圆,第一晶圆和第二晶圆均包括硅基底和设置于硅基底之上的金属层;于第一晶圆和第二晶圆之上制备贴合层后,将第一晶圆键合至第二晶圆之上,以形成键合晶圆;对第一晶圆进行减薄工艺;切割键合晶圆边缘区域,导致边缘区域的金属层被暴露出来;于金属层暴露的表面上沉积一保护层。通过切割两片晶圆的边缘区域的贴合层,以形成平坦化的侧壁,同时也有利于晶圆内部的应力进行释放,避免在封装过程中,因晶圆内部的应力释放而造成晶圆边缘翘曲。使得键合后的晶圆表面处于完全平整的状态,提高键合的有效性,消除键合晶圆边缘及侧壁的裂缝,提高产品的成品率。
申请人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
地址: 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
发明(设计)人: 穆钰平 周玉 曹静 胡胜 孙鹏
主分类号: B81C3/00(2006.01)I
分类号: B81C3/00(2006.01)I B81C1/00(2006.01)I
  • 法律状态
2017-08-04  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):B81C 3/00申请日:20150910
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种晶圆的键合方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S10、提供第一晶圆、第二晶圆,所述第一晶圆和所述第二晶圆均包括硅基底和设置于所述硅基底之上的金属层;步骤S20、于所述第一晶圆和所述第二晶圆之上制备贴合层后,将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆之上,以形成键合晶圆;步骤S30、对所述第一晶圆进行减薄工艺;步骤S40、切割所述键合晶圆边缘区域,导致边缘区域的金属层被暴露出来;步骤S50、于所述金属层暴露的表面上沉积一保护层。
公开号  105271108A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  上海申新律师事务所 31272
代理人  俞涤炯
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期