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单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术
审中-实审
著录变更

申请号:201510573050.3 申请日:2015-09-10
摘要:本发明提供一种提拉法单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术。市电与单晶生长炉完全断开,只通过本发明供电技术供电。硅单晶生长炉用电分成直流和交流两个区域,直流区域为加热器和控制系统,交流区域为炉体冷却、晶体旋转、坩埚旋转等辅助系统。本发明主体分成四个部分,第一部分为市电及备用电源输入、整流稳定及充电部分,且通过升压将电压提高12%;第二部分为电池组部分,采用锂离子电池做为长效型电池存储单元;第三部分为直流输出部分,是主功率输出部分,具备电压和电流的双重供电调节能力,分为多级体系,为加热器和控制系统供电;第四部分为交流输出部分,采用逆变器输出,为冷却水等辅助系统供电,稳定性高,电压及频率波动小。
申请人: 上海超硅半导体有限公司
地址: 201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号
发明(设计)人: 张俊宝 山田宪治 刘浦锋 宋洪伟 陈猛
主分类号: H02J9/06(2006.01)I
分类号: H02J9/06(2006.01)I C30B29/06(2006.01)I C30B15/00(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-16  实质审查的生效 IPC(主分类):H02J 9/06申请日:20150910
2017-01-25  著录事项变更 IPC(主分类):H02J 9/06变更事项:发明人变更前:张俊宝 山田宪治 刘浦锋 宋洪伟 陈猛变更后:张俊宝 刘浦锋 宋洪伟 陈猛
2016-01-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种提拉法单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术;市电与单晶生长炉完全断开,只通过本发明供电技术供电;硅单晶生长炉用电分成直流和交流两个区域,直流区域为加热器和控制系统,交流区域为炉体冷却、晶体旋转、坩埚旋转等辅助系统;本发明单晶硅生长不间断稳定供电技术主体分成四个部分,第一部分为市电及备用电源输入、整流稳定及充电部分,且通过升压将电压提高12%;第二部分为电池组部分,采用锂离子电池做为长效型电池存储单元,可持续单独供电30min;第三部分为直流输出部分,是主功率输出部分,具备电压和电流的双重供电调节能力,分为多级体系,为加热器和控制系统供电;第四部分为交流输出部分,采用逆变器输出,为冷却水等辅助系统供电。
公开号  105262204A
公开日  2016-01-20
专利代理机构  
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