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包含嵌段共聚物的自组装结构和膜以及通过旋涂法制备它们的方法(Va)
审中-实审

申请号:201510489054.3 申请日:2015-05-29
摘要:公开了由式(I)的自组装二嵌段共聚物形成的自组装结构:其中,R1-R4、n和m如本文所述,其用于制备多孔膜。在一个实施方式中,二嵌段共聚物以圆柱体形态存在于自组装结构中。还公开了一种制备自组装结构的方法,包括旋涂含有所述二嵌段共聚物的聚合物溶液,以获得薄膜,随后使所述薄膜溶剂退火。
申请人: 帕尔公司
地址: 美国纽约
发明(设计)人: K·A-H·H·阿穆尔 S·石
主分类号: C08J5/18(2006.01)I
分类号: C08J5/18(2006.01)I C08J9/00(2006.01)I C08G61/12(2006.01)I C08L65/00(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C08J 5/18申请日:20150529
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  制备包含式(I)的二嵌段共聚物的自组装结构的方法:其中:R1是式?(CHR?CH2?O)p?R’的聚(氧化烯)基团,其中p=2?6,R是H或甲基,以及R’是H、C1?C6烷基或者C3?C11环烷基;R2是C1?C22烷基或C3?C11环烷基,各自任选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基取代;R3和R4之一是C6?C14芳基或是杂芳基,任选地被选自羟基、卤素、氨基和硝基的取代基取代,以及R3和R4的另一个是C1?C22烷氧基,任选地被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基和杂环基的取代基取代;以及n和m独立地是约10至约2000;所述方法包含:(i)将二嵌段共聚物溶于溶剂体系中,以获得聚合物溶液;(ii)将所述聚合物溶液旋涂到基材上;(iii)将在(ii)中获得的涂层退火,以获得自组装结构;以及任选地,(iv)洗涤在(iii)中获得的自组装结构。
公开号  105273212A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人  邹智弘
颁证日  
优先权  2014.05.30 US 14/292,193
国际申请  
国际公布  
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