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提高横向导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法
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申请号:201510486182.2 申请日:2015-08-07
摘要:本发明实施例涉及一种提高横向导电结构SiC?MOSFET沟道迁移率的方法, 包括:在P型SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N-漂移区;在N-漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区和漏区;对已形成源区和漏区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化;RCA清洗,使得在外延表面形成Si界面结构;将SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理,将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层;在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火,形成隔离介质层;制备多晶硅栅极和源、漏金属电极,从而形成所述横向导电结构SiC?MOSFET。
申请人: 西安电子科技大学
地址: 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
发明(设计)人: 贾仁需 汪钰成 吕红亮 张玉明
主分类号: H01L21/336(2006.01)I
分类号: H01L21/336(2006.01)I H01L21/02(2006.01)I
  • 法律状态
2017-12-01  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20150807
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种提高横向导电结构SiC?MOSFET沟道迁移率的方法,其特征在于,所述方法包括:在P型SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N?漂移区;在N?漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区和漏区;对已形成所述源区和漏区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化;RCA清洗,使得在所述外延表面形成Si界面结构;将所述SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理,将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层;在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火,形成隔离介质层;制备多晶硅栅极和源、漏金属电极,从而形成所述横向导电结构SiCMOSFET。
公开号  105280503A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京亿腾知识产权代理事务所 11309
代理人  陈霁
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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