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成像设备
审中-实审

申请号:201510441369.0 申请日:2015-07-24
摘要:一种成像设备,包括:像素,其中的每个像素包括:光电转换器,包括以第一半导体区域和第二半导体区域形成的p-n结;放大晶体管,被配置为放大基于信号载流子的信号;以及电容,包括以具有与第一半导体区域相同导电类型的第三半导体区域和具有与第三半导体区域相反导电类型的第四半导体区域形成的p-n结。在电容的p-n结界面处的与第三半导体区域的导电类型相同导电类型的杂质的掺杂杂质浓度,高于在光电转换器的p-n结界面处与第一半导体区域的导电类型相同导电类型的杂质的掺杂杂质浓度。
申请人: 佳能株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 小林昌弘
主分类号: H01L27/146(2006.01)I
分类号: H01L27/146(2006.01)I
  • 法律状态
2016-03-16  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20150724
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种成像设备,其特征在于包括:多个像素,每个像素都包括:光电转换器,包括由第一半导体区域和第二半导体区域形成的p?n结,并且用于在所述第二半导体区域中累积信号载流子,放大晶体管,被配置为放大基于所述信号载流子的信号,以及电容,包括由第三半导体区域和第四半导体区域形成的p?n结,所述第三半导体区域具有与所述第一半导体区域的导电类型相同的导电类型,所述第四半导体区域具有与所述第三半导体区域的导电类型相反的导电类型,其中,所述多个像素中的每一个通过切换电容的连接状态来改变所述放大晶体管的输入节点的电容值,其中,在所述电容的所述p?n结的界面处与所述第三半导体区域的导电类型相同的导电类型的杂质的掺杂杂质浓度,高于在所述光电转换器的p?n结的界面处与所述第一半导体区域的导电类型相同的导电类型的杂质的掺杂杂质浓度,其中,所述放大晶体管具有在半导体衬底的主表面上设置的栅极,其中,所述第一半导体区域被设置在相对于所述主表面比所述第二半导体区域的位置更深的位置处,以及其中,所述第三半导体区域被设置在相对于所述主表面比所述第四半导体区域的位置更深的位置处。
公开号  105280660A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人  周博俊
颁证日  
优先权  2014.07.24 JP 2014-151122
国际申请  
国际公布  
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