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热电子过激励隧道场效应晶体管及其制造和操作方法
审中-实审

申请号:201510431098.0 申请日:2015-07-21
摘要:本发明提供了一种场效应晶体管,其包括具有堆叠半导体的第一沟道层和堆叠半导体的第二沟道层的纳米片材堆叠件。第一沟道层限定了隧道场效应晶体管的沟道区,并且第二沟道层限定了热电子场效应晶体管的沟道区。源极区和漏极区设置在纳米片材堆叠件的相对两侧上,以使得第一沟道层和第二沟道层在它们之间延伸。源极区的第一部分邻近第一沟道层,源极区的第二部分邻近具有相反半导体导电类型的第二沟道层。本发明还讨论了相关的制造和操作方法。
申请人: 三星电子株式会社
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 博尔纳·J·奥布拉多维奇 罗伯特·C·鲍恩 达尔门达·雷迪·帕勒 马克·S·勒德
主分类号: H01L21/336(2006.01)I
分类号: H01L21/336(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L29/423(2006.01)I
  • 法律状态
2017-07-07  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20150721
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种场效应晶体管,包括:纳米片材堆叠件,其包括堆叠半导体的第一沟道层和堆叠半导体的第二沟道层,第一沟道层限定了隧道场效应晶体管的沟道区,第二沟道层限定了热电子场效应晶体管的沟道区;以及源极区和漏极区,其位于纳米片材堆叠件的相对两侧上,以使得第一沟道层和第二沟道层在源极区和漏极区之间延伸,其中源极区的第一部分邻近第一沟道层,源极区的第二部分邻近具有相反的半导体导电类型的第二沟道层。
公开号  105280502A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人  张帆 张青
颁证日  
优先权  2014.07.21 US 62/027,195;2015.01.09 US 14/593,636
国际申请  
国际公布  
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