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半导体发光器件
审中-实审

申请号:201510431079.8 申请日:2015-07-21
摘要:本发明提供了一种包括下部结构的半导体发光器件,所述下部结构包括:至少一个发光区,其包括多个三维发光纳米结构;和至少一个电极区,其包括多个位置,其中,所述多个三维发光纳米结构和所述多个位置的布置方式相同。
申请人: 三星电子株式会社
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 李东国 高建宇 柳建旭 车南求
主分类号: H01L33/24(2010.01)I
分类号: H01L33/24(2010.01)I H01L33/38(2010.01)I
  • 法律状态
2017-07-11  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/24申请日:20150721
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体发光器件,包括:下部结构,该下部结构包括:至少一个发光区,其包括多个三维发光纳米结构;和至少一个电极区,其包括多个位置,其中,所述多个三维发光纳米结构和所述多个位置的布置方式相同。
公开号  105280773A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人  张帆 陈源
颁证日  
优先权  2014.07.21 KR 10-2014-0091930
国际申请  
国际公布  
进入国家日期