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第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法
审中-实审

申请号:201510415396.0 申请日:2015-07-15
摘要:第III族氮化物半导体发光器件具有插入在第二半导体层与透明电极之间的绝缘多层膜。该绝缘多层膜用作分布式布拉格反射器并且形成在包括通过将p电极投影至p型接触层所获得的投影区域的区中。绝缘多层膜具有第一区和第二区,其中第一区具有厚度大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95%的层,并且所述第二区具有厚度不大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95%的层。在第二区中绝缘多层膜的第二表面包括具有朝着绝缘膜的第一表面凹陷的凹部的斜坡。
申请人: 丰田合成株式会社
地址: 日本爱知县
发明(设计)人: 户谷真悟
主分类号: H01L33/40(2010.01)I
分类号: H01L33/40(2010.01)I H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/40申请日:20150715
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种第III族氮化物半导体发光器件,包括:具有第一导电类型的第一半导体层;设置在所述第一半导体层上的发光层;具有第二导电类型的第二半导体层,所述第二半导体层设置在所述发光层上;设置在所述第二半导体层上的透明电极;电连接至所述第一半导体层的第一电极;以及电连接至所述第二半导体层的第二电极;其中所述第III族氮化物半导体发光器件包括插入在所述第二半导体层与所述透明电极之间的绝缘多层膜,所述绝缘多层膜包括接触所述第二半导体层的第一表面和接触所述透明电极的第二表面;所述绝缘多层膜用作分布式布拉格反射器,并且形成在包括通过将所述第二电极投影至所述第二半导体层所获得的投影区域的区中;所述绝缘多层膜包括第一区和第二区,其中所述第一区包括厚度大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95%的层,所述第二区包括厚度不大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95%的层;以及在所述第二区中所述绝缘多层膜的所述第二表面包括具有朝着所述第一表面凹陷的凹部的斜坡。
公开号  105280778A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人  蔡胜有 苏虹
颁证日  
优先权  2014.07.15 JP 2014-145455
国际申请  
国际公布  
进入国家日期