搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

具有场电极和场电介质的半导体器件
审中-实审

申请号:201510413647.1 申请日:2015-07-15
摘要:本发明涉及具有场电极和场电介质的半导体器件。半导体器件(500)包括场电极结构(160),其包括场电极(165)和围绕场电极(165)的场电介质(161)。场电介质(161)包括第一电介质层(161a)和具有比第一电介质层(161a)更小的带隙和更低的导带边缘中的至少一个的第二电介质层(161b)。半导体主体(100)包括围绕场电极结构(160)并直接邻接第一电介质层(161a)的晶体管部分(TS)。晶体管部分(TS)包括源极区(110)、第一漂移区部分(121a)和使源极区(110)与第一漂移区部分(121a)分离的主体区(115)。主体区(115)形成与源极区(110)的第一pn结(pn1)和与第一漂移区部分(121a)的第二pn结(pn2)。
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
地址: 奥地利菲拉赫
发明(设计)人: F.希尔勒 M.珀尔兹尔
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L29/40(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20150715
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,包括:场电极结构(160),其包括场电极(165)和围绕所述场电极(165)的场电介质(161),其中所述场电介质(161)包括第一电介质层(161a)和具有比所述第一电介质层(161a)更小的带隙和更低的导带边缘中的至少一个的第二电介质层(161b);以及半导体主体(100),其包括晶体管部分(TS),所述晶体管部分(TS)围绕所述场电极结构(160),直接邻接所述第一电介质层(161a),并包括源极区(110)、第一漂移区部分(121a)和使所述源极区(110)与所述第一漂移区部分(121a)分离的主体区(115),所述主体区(115)形成与所述源极区(110)的第一pn结(pn1)和与所述第一漂移区部分(121a)的第二pn结(pn2)。
公开号  105280713A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人  王岳 胡莉莉
颁证日  
优先权  2014.07.15 DE 102014109924.9
国际申请  
国际公布  
进入国家日期