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包含自组装嵌段共聚物的膜和通过旋涂法(IIa)制备该膜的方法
审中-实审

申请号:201510409904.4 申请日:2015-04-30
摘要:公开了由自组装嵌段共聚物形成的膜,例如式(I)的二嵌段共聚物:其中,R1-R4、n和m如本发明所述,其用于制备纳米多孔膜。膜的实施方式含有自组装成圆柱形形态的嵌段共聚物。还公开了制备这类膜的方法,涉及旋涂含有嵌段共聚物的聚合物溶液,获得薄膜,随后在溶剂蒸气中退火薄膜和/或浸泡在溶剂或溶剂混合物中,形成纳米多孔膜。
申请人: 帕尔公司
地址: 美国纽约
发明(设计)人: 卡莱德·阿卜戴尔-哈吉姆·阿穆尔 S·石
主分类号: C08J9/28(2006.01)I
分类号: C08J9/28(2006.01)I C08J7/04(2006.01)I C09D153/00(2006.01)I C03C17/32(2006.01)I C04B41/48(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C08J 9/28申请日:20150430
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制备包含式(I)或(II)的嵌段共聚物的多孔膜的方法:其中:R1是C1?C22烷基,可选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代,或者C3?C11环烷基,可选地被选自烷基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;R2是C6?C20芳基或杂芳基,可选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;R3和R4之一是C6?C14芳基,可选地被选自羟基、卤素、氨基以及硝基的取代基所取代,以及R3和R4的另一个是C1?C22烷氧基,可选地被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基以及杂环基的取代基所取代;以及n和m独立地是约10至约2000;0<x≤n以及0<y≤m;该方法包含:(i)将嵌段共聚物溶解于溶剂体系中,获得聚合物溶液;(ii)将聚合物溶液旋涂到基材上;以及(iii)将(ii)中所得涂层退火,获得自组装结构或多孔膜。
公开号  105273221A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人  汪宇伟
颁证日  
优先权  2014.05.30 US 14/292,665
国际申请  
国际公布  
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