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包含嵌段共聚物的自组装结构和膜以及通过旋涂法(IIIa)制备它们的方法
审中-实审

申请号:201510409857.3 申请日:2015-04-30
摘要:公开了由式(I)的自组装性嵌段共聚物形成的自组装结构:,其中,R1-R4、n和m如本发明所述,其用于制备纳米多孔膜。在自组装结构的实施方式中,嵌段共聚物自组装成圆柱形形态。还公开了制备这类自组装结构的方法,涉及旋涂含有二嵌段共聚物的聚合物溶液,获得薄膜,随后通过溶剂使薄膜退火。进一步公开了由自组装结构制备多孔膜的方法。
申请人: 帕尔公司
地址: 美国纽约
发明(设计)人: K·A-H·H·艾默 S·史
主分类号: C08J7/04(2006.01)I
分类号: C08J7/04(2006.01)I C09D153/00(2006.01)I C03C17/32(2006.01)I C04B41/48(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):C08J 7/04申请日:20150430
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制备包含式(I)的二嵌段共聚物的自组装结构的方法:其中:R1是式?(CHR?CH2?O)p?R’的聚(氧化亚烷基)基团,其中p=2?6,R是H或甲基,以及R’是氢、C1?C6烷基或者C3?C11环烷基;R2是C6?C20芳基或杂芳基,可选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;R3和R4之一是C6?C14芳基,可选地被选自羟基、卤素、氨基以及硝基的取代基所取代,以及R3和R4的另一个是C1?C22烷氧基,可选地被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基以及杂环基的取代基所取代;n和m独立地是约10至约2000;该方法包含:(i)将二嵌段共聚物溶解于溶剂体系中以获得聚合物溶液;(ii)将聚合物溶液旋涂到基材上;(iii)将(ii)中所得涂层退火以获得自组装结构;以及,可选地,(iv)洗涤(ii)中所得自组装结构。
公开号  105273214A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人  汪宇伟
颁证日  
优先权  2014.05.30 US 14/292,580
国际申请  
国际公布  
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