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半导体器件
审中-实审

申请号:201510364702.2 申请日:2015-06-26
摘要:本发明提高半导体装置的可靠性。在由保护绝缘膜(PIF)覆盖的焊盘(PD)的探针区域(PBR)形成有探针痕迹(PM)。并且,柱状电极(PE)具有:形成在开口区域(OP2)上的第1部分;和从开口区域(OP2)上向探针区域(PBR)上延伸的第2部分。此时,开口区域(OP2)的中心位置相对于与接合指形部相对的柱状电极(PE)的中心位置偏离。
申请人: 瑞萨电子株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 小野善宏 木下顺弘 木田刚 绀野顺平 坂田贤治 森健太郎 马场伸治
主分类号: H01L23/498(2006.01)I
分类号: H01L23/498(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-30  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498申请日:20150626
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,包括:(a)具有第一面和形成于所述第一面的接合指形部的布线衬底;(b)半导体芯片,其具有:主表面、形成于所述主表面上的焊盘、形成于所述焊盘上的保护绝缘膜和形成于从所述保护绝缘膜露出的所述焊盘的开口区域上的柱状电极,所述半导体芯片以所述主表面与所述布线衬底的所述第一面相对的方式经由所述柱状电极与所述布线衬底的所述接合指形部电连接,在由所述保护绝缘膜覆盖的所述焊盘的探针区域形成有探针痕迹,所述柱状电极具有:形成于所述开口区域上的第一部分;和形成于覆盖所述探针区域的所述保护绝缘膜上的第二部分,所述开口区域的中心位置从与所述接合指形部相对的所述柱状电极的中心位置偏移。
公开号  105280602A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京市金杜律师事务所 11256
代理人  陈伟 王娟娟
颁证日  
优先权  2014.06.27 JP 2014-133351
国际申请  
国际公布  
进入国家日期